SSD

240 ГБ, 2.5", SATA 3.0 (3.3), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/320 МБайт/с, случайный доступ: 98000/14000 IOps

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 95000/90000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6000 МБайт/с, случайный доступ: 900000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 9500/8500 МБайт/с, случайный доступ: 1300000/1400000 IOps, DRAM-буфер

3.84 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6900/4100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/180000 IOps

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер MaxioTech MAP1602A, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6600 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/700000 IOps, SLC-кэш

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 3500/2800 МБайт/с

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Silicon Motion SM2264, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7400/6800 МБайт/с, случайный доступ: 750000/630000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Phison PS5019-E19T, последовательный доступ: 3600/2830 МБайт/с, случайный доступ: 525000/640000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2258XT, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 545/500 МБайт/с

1.92 ТБ, 2.5", U.2, последовательный доступ: 6800/2700 МБайт/с, случайный доступ: 740000/130000 IOps

960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/65000 IOps

480 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, последовательный доступ: 540/410 МБайт/с, случайный доступ: 85000/36000 IOps

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3476/3137 МБайт/с

1 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5018-E18, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5

1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Silicon Motion SM2262ENG, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 3400/3000 МБайт/с, случайный доступ: 337000/369000 IOps, DRAM-буфер

2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3500/2100 МБайт/с, случайный доступ: 150000/200000 IOps

512 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6900/5000 МБайт/с, случайный доступ: 800000/800000 IOps, SLC-кэш