Оперативная память G.Skill

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5600 МГц, CL 30T, тайминги 30-36-36-89, напряжение 1.25 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-83, напряжение 1.2 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 6800 МГц, CL 34T, тайминги 34-46-46-108, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 5200 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-83, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 4600 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.55 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 14T, тайминги 14-14-14-34, напряжение 1.45 В

2 модуля, частота 4400 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-39, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 4800 МГц, CL 20T, тайминги 20-30-30-50, напряжение 1.55 В

2 модуля, частота 6000 МГц, CL 36T, тайминги 36-36-36-96, напряжение 1.35 В

96 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 48 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-89, напряжение 1.25 В

48 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 24 ГБ, частота 7200 МГц, CL 36T, тайминги 36-46-46-115, напряжение 1.35 В

4 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-22-22-42, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6400 МГц, CL 32T, тайминги 32-39-39-102, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 18T, тайминги 18-22-22-42, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-39, напряжение 1.35 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 4600 МГц, CL 19T, тайминги 19-26-26-46, напряжение 1.5 В